EPC2001C
Numéro de pièce
EPC2001C
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
56638
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$6.58
$6.58
10
$4.4
$44
100
$3.17
$317
500
$3.13
$1565
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
36A (Ta)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Vgs (Max)
+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 50 V
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