EPC2010
Numéro de pièce
EPC2010
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 200V 12A DIE
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Discontinued at
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Vgs (Max)
+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 100 V
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