EPC2012C
Numéro de pièce
EPC2012C
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
8710
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$4.08
$4.08
10
$2.67
$26.7
100
$1.87
$187
500
$1.65
$825
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Dissipation de puissance (Max)
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.3 nC @ 5 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 100 V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile