EPC2015C
Numéro de pièce
EPC2015C
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 40V 53A DIE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
14886
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$6.49
$6.49
10
$4.35
$43.5
100
$3.13
$313
500
$3.08
$1540
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 20 V
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