EPC2016
Numéro de pièce
EPC2016
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Discontinued at
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 50 V
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