EPC2021
Numéro de pièce
EPC2021
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
4667
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$11.13
$11.13
10
$7.67
$76.7
100
$6.29
$629
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Tension Drain-Source (Vdss)
80 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 14mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1650 pF @ 40 V
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