EPC7014UBC
Numéro de pièce
EPC7014UBC
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC Space, LLC
Description
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1690
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$200.08
$200.08
10
$184.4
$1844
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Dissipation de puissance (Max)
-
Fournisseur Dispositif Emballage
4-SMD
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Boîtier
4-SMD, No Lead
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 140µA
Vgs (Max)
+7V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
22 pF @ 30 V
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