EPC8009
Numéro de pièce
EPC8009
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 65V 4A DIE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
15642
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$5.06
$5.06
10
$3.35
$33.5
100
$2.37
$237
500
$2.2
$1100
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Tension Drain-Source (Vdss)
65 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 500mA, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
52 pF @ 32.5 V
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