EPC8010
Numéro de pièce
EPC8010
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
EPC
Description
GANFET N-CH 100V 4A DIE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
12547
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$3.39
$3.39
10
$2.2
$22
100
$1.52
$152
500
$1.28
$640
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 500mA, 5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
0.48 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
55 pF @ 50 V
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