FF06100G
Numéro de pièce
FF06100G
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
fastSiC
Description
SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1804
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$8.99
$8.99
10
$3.29
$32.9
100
$3.07
$307
3000
$2.99
$8970
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Dissipation de puissance (Max)
83W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Boîtier
4-PowerTSFN
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Vgs (Max)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
4-PDFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 14mA
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