FF12080J-7A
Numéro de pièce
FF12080J-7A
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
fastSiC
Description
SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1900
Statut RoHS
NO
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En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$13.95
$13.95
10
$5.11
$51.1
100
$4.77
$477
4000
$4.65
$18600
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
214W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 20mA
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7L
Vgs (Max)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 8A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1548 pF @ 800 V
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