FQPF3N60
Numéro de pièce
FQPF3N60
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Description
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
3960
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 497
Quantité
Prix
Prix total
497
$0.66
$328.02
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Boîtier
TO-220-3 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Dissipation de puissance (Max)
34W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220F-3
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