G01N20LE
Numéro de pièce
G01N20LE
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
2418
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.58
$0.58
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.15
$150
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-3
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
1.5W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
580 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile