G1003A
Numéro de pièce
G1003A
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
4595
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.59
$0.59
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.16
$160
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-3
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
532 pF @ 25 V
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