G12P03D3
Numéro de pièce
G12P03D3
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
9033
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.98
$0.98
10
$0.61
$6.1
100
$0.39
$39
500
$0.3
$150
1000
$0.27
$270
2000
$0.25
$500
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Dissipation de puissance (Max)
30W (Tc)
Boîtier
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (3.15x3.05)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1337 pF @ 15 V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile