G16P03D3
Numéro de pièce
G16P03D3
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
6580
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.1
$1.1
10
$0.69
$6.9
100
$0.45
$45
500
$0.34
$170
1000
$0.31
$310
2000
$0.28
$560
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Boîtier
8-PowerVDFN
Dissipation de puissance (Max)
55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (3.15x3.05)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2805 pF @ 15 V
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