G3035L
Numéro de pièce
G3035L
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
4335
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.4
$0.4
10
$0.24
$2.4
100
$0.15
$15
500
$0.11
$55
1000
$0.1
$100
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 15 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
1.4W (Tc)
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