G30N04D3
Numéro de pièce
G30N04D3
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
1858
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.18
$1.18
10
$0.74
$7.4
100
$0.48
$48
500
$0.37
$185
1000
$0.34
$340
2000
$0.31
$620
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
50W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Boîtier
8-PowerVDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1940 pF @ 20 V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (3.15x3.05)
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