G33N03D3
Numéro de pièce
G33N03D3
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
8728
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.31
$1.31
10
$0.82
$8.2
100
$0.54
$54
500
$0.42
$210
1000
$0.38
$380
2000
$0.35
$700
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Tension Drain-Source (Vdss)
30V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (3x3)
Boîtier
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 16A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
837pF @ 15V
Puissance - Max
13W (Tc)
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