G65P06D5
Numéro de pièce
G65P06D5
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
2019
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.72
$1.72
10
$1.08
$10.8
100
$0.72
$72
500
$0.57
$285
1000
$0.52
$520
2000
$0.5
$1000
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
104W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Boîtier
8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (4.9x5.75)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6138 pF @ 25 V
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