GE12047BCA3
Numéro de pièce
GE12047BCA3
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
GE Aerospace
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 475A
Encapsulation
Box
Emballage
Quantité
1601
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$2359.5
$2359.5
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
Module
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fournisseur Dispositif Emballage
Module
Puissance - Max
1250W
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
475A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1248nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
29300pF @ 600V
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