GE12160CEA3
Numéro de pièce
GE12160CEA3
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
GE Aerospace
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1612
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$9678.9
$9678.9
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
Module
Fournisseur Dispositif Emballage
Module
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
1.425kA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 480mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
3744nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
90000pF @ 600V
Puissance - Max
3.75kW
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