GE17080CDA3
Numéro de pièce
GE17080CDA3
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
GE Aerospace
Description
MOSFET 2N-CH 1700V 765A MODULE
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1605
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$5929
$5929
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
Module
Fournisseur Dispositif Emballage
Module
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700V (1.7kV)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
765A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.23mOhm @ 765A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
2414nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
58000pF @ 900V
Puissance - Max
2350W
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