GPI65005DF
Numéro de pièce
GPI65005DF
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
GaNPower
Description
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1737
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$2.75
$2.75
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
5A
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 1.75mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
45 pF @ 400 V
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