GPI65060DFN
Numéro de pièce
GPI65060DFN
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
GaNPower
Description
GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
60A
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 400 V
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