GPIHV7DK
Numéro de pièce
GPIHV7DK
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
GaNPower
Description
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
7A
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.7V @ 3.5mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
90 pF @ 700 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 6 V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scanner le code QR mobile