GT110N06S
Numéro de pièce
GT110N06S
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
5133
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.25
$1.25
10
$0.78
$7.8
100
$0.51
$51
500
$0.4
$200
1000
$0.36
$360
2000
$0.33
$660
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Dissipation de puissance (Max)
3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
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