GT52N10D5
Numéro de pièce
GT52N10D5
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
13359
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$2.52
$2.52
10
$1.61
$16.1
100
$1.1
$110
500
$0.88
$440
1000
$0.85
$850
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Dissipation de puissance (Max)
100W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Boîtier
8-PowerTDFN
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2870 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (4.9x5.75)
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