GT55N06D5
Numéro de pièce
GT55N06D5
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
2895
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.33
$1.33
10
$0.84
$8.4
100
$0.55
$55
500
$0.43
$215
1000
$0.39
$390
2000
$0.36
$720
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Dissipation de puissance (Max)
69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Boîtier
8-PowerTDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1085 pF @ 30 V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (4.9x5.75)
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