HTNFET-D
Numéro de pièce
HTNFET-D
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Honeywell Aerospace
Description
MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Tension Drain-Source (Vdss)
55 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
-
Vgs (Max)
10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 100mA, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 28 V
Dissipation de puissance (Max)
50W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 225°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-CDIP-EP
Boîtier
8-CDIP Exposed Pad
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