HUF75307D3
Numéro de pièce
HUF75307D3
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Harris Corporation
Description
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
9710
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 486
Quantité
Prix
Prix total
486
$0.68
$330.48
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
55 V
Dissipation de puissance (Max)
45W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
IPAK
Boîtier
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 20 V
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