HUF75309D3S
Numéro de pièce
HUF75309D3S
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Harris Corporation
Description
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
15780
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 841
Quantité
Prix
Prix total
841
$0.4
$336.4
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension Drain-Source (Vdss)
55 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252 (DPAK)
Dissipation de puissance (Max)
55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 20 V
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