IRF8113GPBF
Numéro de pièce
IRF8113GPBF
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
International Rectifier
Description
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SO
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Dissipation de puissance (Max)
2.5W (Ta)
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2910 pF @ 15 V
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