IRF9510
Numéro de pièce
IRF9510
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Harris Corporation
Description
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2987
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 377
Quantité
Prix
Prix total
377
$0.88
$331.76
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
43W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Type de FET
P-Channel
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
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