IRFP340
Numéro de pièce
IRFP340
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Harris Corporation
Description
MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2624
Statut RoHS
NO
Partagez
PDF:
En stock
base.lang_mini : 214
Quantité
Prix
Prix total
214
$1.54
$329.56
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
400 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
150W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247AC
Boîtier
TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP