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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
IV1Q12050T4
Numéro de pièce
IV1Q12050T4
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Inventchip
Description
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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PDF：
Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 120
Quantité
Prix
Prix total
120
$8.29
$994.8
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 20 V
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs (Max)
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 6mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2750 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)
344W (Tc)
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