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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
IV1Q12160T4
Numéro de pièce
IV1Q12160T4
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Inventchip
Description
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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PDF：
Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 120
Quantité
Prix
Prix total
120
$3.92
$470.4
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
138W (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs (Max)
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.9V @ 1.9mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
885 pF @ 800 V
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