IV2Q06025T4Z
Numéro de pièce
IV2Q06025T4Z
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Inventchip
Description
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1660
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$13.73
$13.73
10
$9.57
$95.7
100
$7.22
$722
500
$6.77
$3385
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Boîtier
TO-247-4
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs (Max)
+20V, -5V
Dissipation de puissance (Max)
454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 12mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3090 pF @ 600 V
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