IV2Q06040L1
Numéro de pièce
IV2Q06040L1
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Inventchip
Description
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 40MOHM,
Encapsulation
Strip
Emballage
Quantité
1660
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$11.3
$11.3
10
$7.78
$77.8
100
$5.8
$580
500
$5.24
$2620
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 7.5mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
63.5A (Tc)
Vgs (Max)
+20V, -5V
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLL
Dissipation de puissance (Max)
249W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
94.7 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 600 V
Boîtier
TOLL
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