IV2Q06040T4Z
Numéro de pièce
IV2Q06040T4Z
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Inventchip
Description
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 40MOHM,
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1660
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$11.56
$11.56
10
$7.98
$79.8
100
$5.96
$596
500
$5.4
$2700
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 7.5mA
Vgs (Max)
+20V, -5V
Dissipation de puissance (Max)
249W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
94.7 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 600 V
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