IV2Q12080T4Z
Numéro de pièce
IV2Q12080T4Z
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Inventchip
Description
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 80MOHM,
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1660
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$9.01
$9.01
10
$6.13
$61.3
100
$4.51
$451
500
$3.89
$1945
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
250W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1214 pF @ 800 V
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