LN60A01EP-LF
Numéro de pièce
LN60A01EP-LF
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
Monolithic Power Systems Inc.
Description
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
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Quantité
Prix
Prix total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Puissance - Max
1.3W
Boîtier
8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Température de fonctionnement
-20°C ~ 125°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
600V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
80mA
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PDIP-7B
Configuration
3 N-Channel, Common Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190Ohm @ 10mA, 10V
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