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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
N3T035MP120D
Numéro de pièce
N3T035MP120D
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
NoMIS Power
Description
1200 V, 35 m SiC MOSFET, TO-247-
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2252
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$18.65
$18.65
25
$16.45
$411.25
100
$15.35
$1535
500
$14.25
$7125
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 20V
Dissipation de puissance (Max)
319W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 15mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
76A
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2204 pF @ 800 V
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