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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
N3T080MP120D
Numéro de pièce
N3T080MP120D
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
NoMIS Power
Description
1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
2482
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$9.85
$9.85
25
$9.3
$232.5
100
$8.75
$875
500
$7.65
$3825
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
188W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
38A
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 15mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
896 pF @ 800 V
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