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NC1M120C12WCNG
NC1M120C12WCNG
NC1M120C12WCNG
Référence :
NC1M120C12WCNG
Catégorie :
-
Fabricant :
NovuSem
Description :
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
Boîtier :
Conditionnement :
Tray
Quantité :
2180
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
NC1M120C12WCNG
Demande de devis
Stock
Quantité min. : 218
Qté
Prix
Total
218+
$40.36
$8798.48
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Active
Type de FET
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
214A (Tc)
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