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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
NC1M120C12WDCU
Numéro de pièce
NC1M120C12WDCU
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
NovuSem
Description
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Encapsulation
Tray
Emballage
Quantité
3780
Statut RoHS
NO
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PDF：
Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 218
Quantité
Prix
Prix total
218
$45.35
$9886.3
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
Die
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Fournisseur Dispositif Emballage
Wafer
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
214A (Tc)
Vgs (Max)
+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 20V
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