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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
NC1M120C40GTNG
Numéro de pièce
NC1M120C40GTNG
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
NovuSem
Description
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1700
Statut RoHS
NO
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PDF：
Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 50
Quantité
Prix
Prix total
50
$27.76
$1388
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 10mA
Vgs (Max)
+20V, -5V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 35A, 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2534 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (Max)
375W (Ta)
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