NC1M120C75HTNG
Numéro de pièce
NC1M120C75HTNG
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
NovuSem
Description
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1700
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 50
Quantité
Prix
Prix total
50
$16.27
$813.5
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 5mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (Max)
288W (Ta)
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