NC1M120C75RRNG
Numéro de pièce
NC1M120C75RRNG
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
NovuSem
Description
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1700
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 50
Quantité
Prix
Prix total
50
$17.59
$879.5
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7L
Vgs (Max)
+18V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1402 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (Max)
240W (Ta)
Boîtier
TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)
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