NH3T008MP120F2
Numéro de pièce
NH3T008MP120F2
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
NoMIS Power
Description
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Encapsulation
Tray
Emballage
Quantité
1609
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$163.9
$163.9
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage
-
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
Module
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
530nC @ 20V
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